制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 王璐; 王珈; 吴德馨 |
| 发表日期 | 2019-09-03 |
| 专利号 | CN108736316B |
| 著作权人 | 北京嘉圣光通科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本申请提供一种制作VCSEL的方法及VCSEL。包括：在衬底上表面外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一DBR；在第一DBR上外延生长第一限制层；在第一限制层上外延生长量子阱有源层；在量子阱有源层上外延生长第二限制层；在第二限制层上外延生长第二DBR；在第二DBR上外延生长复合接触层；在复合接触层上淀积绝缘介质掩模层；在绝缘介质掩模层上光刻台面图案并刻蚀形成台面；淀积绝缘介质掩模层并刻蚀，形成侧墙；采用各向同性进行部分侧向腐蚀，形成通光孔；应力消除以及平坦化处理；在台面上表面制作第一电极接触层；对衬底背面进行减薄处理；在减薄后的背面制作第二电极接触层。如此，可提升VCSEL的合格率，降低生产VCSEL的成本。 |
| 公开日期 | 2019-09-03 |
| 申请日期 | 2018-06-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京嘉圣光通科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王璐,王珈,吴德馨. 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器. CN108736316B. 2019-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。