半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 方瑞禹 |
| 发表日期 | 2019-09-03 |
| 专利号 | CN106207753B |
| 著作权人 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置，本发明的半导体激光芯片，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同。本发明的半导体激光芯片可提高生产效率和产品质量。 |
| 公开日期 | 2019-09-03 |
| 申请日期 | 2016-09-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38890]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方瑞禹. 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置. CN106207753B. 2019-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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