半导体激光芯片外延结构
文献类型：专利
| 作者 | 仇伯仓; 胡海 |
| 发表日期 | 2019-09-13 |
| 专利号 | CN104393487B |
| 著作权人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光芯片外延结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光芯片外延结构，包括：有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层，第一包层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的至少两个第一子包层和至少一第二子包层，其中第二子包层位于两个第一子包层之间，第二子包层的折射率低于第一包层材料的折射率。通过上述方式，本发明能够同时兼顾半导体激光器的阈值电流与光束发散角，使得半导体激光器具有小阈值电流与低的光束发散角，大大改善外延材料的生长稳定性，保证半导体激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2019-09-13 |
| 申请日期 | 2014-10-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇伯仓,胡海. 半导体激光芯片外延结构. CN104393487B. 2019-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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