一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李俣; 彭瑞宏; 黄卫平 |
| 发表日期 | 2019-09-27 |
| 专利号 | CN109244828B |
| 著作权人 | 山东大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术，该装置包括InP衬底和InP包层，InP衬底和InP包层内设置有低折射率中心腔和位于低折射率中心腔两侧的PT布拉格反射光栅区；低折射率中心腔由低折射率材料包裹高折射率条波导构成，PT布拉格反射光栅区包括量子阱结构。本发明可实现高输出功率，同时该激光器具有能量转换效率(PCE)高、COD阈值高、激射阈值低、易散热等优点。 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 申请日期 | 2018-11-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38929]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俣,彭瑞宏,黄卫平. 一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法. CN109244828B. 2019-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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