Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element
文献类型：专利
| 作者 | KINOSHITA JUNICHI |
| 发表日期 | 2000-11-23 |
| 专利号 | DE69610675D1 |
| 著作权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,KAWASAKI |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element |
| 英文摘要 | A GCL (50) is formed on a first major surface of a semi-insulating InP substrate (1''). Specifically, an InGaAsP active layer (2), an InGaAsP waveguide path (3) and a striped grating (10) having two phase shift portions are formed on the first major surface of the InP substrate (1''). An EA modulator (60) is formed on a second major surface of the semi-insulating InP substrate (1''). Specifically, a p-InP layer (7), an MQW structure (8) of 100-layer, an n-InP layer (9) and an n-InP layer (10) are formed on the second major surface of the InP substrate (1''). The first major surface and second major surface of the InP substrate (1'') are inclined to each other by a few degrees. |
| 公开日期 | 2000-11-23 |
| 申请日期 | 1996-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38940]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,KAWASAKI |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KINOSHITA JUNICHI. Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element. DE69610675D1. 2000-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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