偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 護; 小楠 誠 |
| 发表日期 | 2003-01-10 |
| 专利号 | JP3387751B2 |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】実質的に独立に最適化され得るTEモード用半導体レーザ構造とTMモード用半導体レーザ構造を用いて構成され、偏波変調動作範囲の広い比較的低コストな偏波変調半導体レーザである。 【解決手段】2個の異なる半導体レーザ構造1、2を導波方向に直列に配置した複合共振器型半導体レーザである。一方の半導体レーザ構造1が、一方の偏波モードの利得が優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器を有する。他方の半導体レーザ構造2が、他方の偏波モードの利得が優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器又はファブリペロ型共振器を有する。2つの半導体レーザ構造1、2は導波方向に間隙3を置いて配置される。 |
| 公开日期 | 2003-03-17 |
| 申请日期 | 1996-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 護,小楠 誠. 偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法. JP3387751B2. 2003-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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