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光照射装置的制造方法

文献类型:专利

作者坂本则明; 小林义幸; 前原荣寿; 高桥幸嗣; 阪本纯次; 真下茂明; 大川克实
发表日期2005-02-23
专利号CN1190844C
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名光照射装置的制造方法
英文摘要本发明的特征在于,具备:准备导电箔,至少在除构成导电路径的区域以外的上述导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽,形成多个导电路径的工序;将各光半导体元件(65)固定在所希望的上述导电路径上的工序;个别地覆盖上述各光半导体元件(65),用能透过光的树脂(67)进行封装,以便填充上述分离槽的工序;以及将未设置上述分离槽一侧的上述导电箔除去的工序,导电路径的背面能提供与外部的连接,能不要通孔,实现了散热性能好、生产效率高的光照射装置(68)。
公开日期2005-02-23
申请日期2001-05-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38973]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
坂本则明,小林义幸,前原荣寿,等. 光照射装置的制造方法. CN1190844C. 2005-02-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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