处理光束的方法、激光照射装置以及制造半导体器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中幸一郎 |
| 发表日期 | 2005-07-20 |
| 专利号 | CN1211687C |
| 著作权人 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 处理光束的方法、激光照射装置以及制造半导体器件的方法 |
| 英文摘要 | 用于照射待热处理的非单晶半导体膜上的激光束能量是均匀分布的。从诸如YAG激光器的固体激光器获得的激光束，其中YAG激光器容易在基于简单分开和合并激光束的常规方法的光学系统中导致干涉，但是与受激准分子激光器相比可以维持较低的成本。固体激光器可以通过准直偏振面振荡形成激光束。通过利用一个λ/2片形成偏振方向彼此独立的两激光束，并通过一个阶梯形的石英块进一步形成多个激光束，并行进不同的光程。这些激光束通过光学系统在照射面上或其附近合并成一束，由此形成一个干涉性被有效地限制、并且能量分布高度均匀的均匀激光束。 |
| 公开日期 | 2005-07-20 |
| 申请日期 | 2001-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38977]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎. 处理光束的方法、激光照射装置以及制造半导体器件的方法. CN1211687C. 2005-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。