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2波長半導体レーザ素子及びその製造方法

文献类型:专利

作者西塚 満; 太田 啓之; 竹間 清文
发表日期2005-06-10
专利号JP3685306B2
著作权人パイオニア株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名2波長半導体レーザ素子及びその製造方法
英文摘要【課題】 波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モード等の異なる発光特性を有する2つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることによって選択出射可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本発明による半導体レーザ素子は、少なくともn型半導体層、活性層、p型半導体層の順に積層された多層構造体と、p側電極及びn側電極と、を有するリッジ型構造を有する第1及び第2レーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第1レーザ部のp側電極及びn側電極がそれぞれ前記第2レーザ部のn側電極及びp側電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
公开日期2005-08-17
申请日期1999-03-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39009]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位パイオニア株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
西塚 満,太田 啓之,竹間 清文. 2波長半導体レーザ素子及びその製造方法. JP3685306B2. 2005-06-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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