II-VI族半導体デバイス及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 倉本 大; 岩田 普 |
| 发表日期 | 1998-03-13 |
| 专利号 | JP2757915B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | II-VI族半導体デバイス及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流の狭窄を充分に計り得るII-VI族半導体を含む電流狭窄構造の高抵抗層を有するII-VI族半導体デバイスを少ない工程数で簡便に作製し得る製造方法を提供すること。 【解決手段】 このMISFETは、MBE法でi-GaAs基板1上にi-ZnSe層2,n-ZnSe層3をこの順で成長させた後、真空蒸着でn-ZnSe層3上にCuを蒸着してからフォトリソグラフィ技術により特定幅のCu層4を形成し、次に高抵抗層形成工程として、このウェハを窒素雰囲気中200℃の温度条件下でアニールすることにより、n-ZnSe層3上にあったCu層4を拡散させてn-ZnSe層3中に高抵抗層5を埋設形成し、更に回路形成工程として高抵抗層5上を含むn-ZnSe層3上に金を蒸着してドレイン電極6,ゲート電極7,及びソース電極8を形成することによって作製される。 |
| 公开日期 | 1998-05-25 |
| 申请日期 | 1996-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39022]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉本 大,岩田 普. II-VI族半導体デバイス及びその製造方法. JP2757915B2. 1998-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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