光二极管的封装基座结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 温安农; 郑静琦; 陈志明 |
| 发表日期 | 2008-06-11 |
| 专利号 | CN100394623C |
| 著作权人 | 矽畿科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光二极管的封装基座结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明为一种光二极管的封装基座结构及其制作方法，其步骤主要是在基板的第一表面与第二表面上形成第一掩模层与第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上定义出第一开口与第二开口，该第一开口的面积大于第二开口；对该基板进行湿式蚀刻，进而完成具有承载空间以及至少两个导通孔的光二极管封装基座结构，其中该承载空间的顶部开口位于基板的该第一表面，其底部用以承载该光二极管，而这些导通孔的底部开口位于该基板的该第二表面，其顶部连通于该承载空间的底部，且该导通孔的侧壁与该承载空间的底部交界处至少具有一斜面结构。本发明克服了现有技术的导电层断层的问题，且在整体结构上还能使在封装光二极管时产生的不合格率大大的降低。 |
| 公开日期 | 2008-06-11 |
| 申请日期 | 2006-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39093]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 矽畿科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温安农,郑静琦,陈志明. 光二极管的封装基座结构及其制作方法. CN100394623C. 2008-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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