光増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 敦司; 吉田谷 弘明 |
| 发表日期 | 2002-10-25 |
| 专利号 | JP3363511B2 |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光増幅素子 |
| 英文摘要 | 【目的】光増幅素子の光増幅の偏光方向における依存性を広い光波長の範囲で低減すること、およびキャリア注入を変化させても、光増幅素子の利得の偏光方向における依存性の変化を低減することが目的である。 【構成】基板1と、活性領域2と、クラッド層3とを有する光増幅素子において、活性領域2は、光閉じ込め層2aと、少なくとも一層が他層と厚さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層2bと、各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障壁層2cとで構成した。 |
| 公开日期 | 2003-01-08 |
| 申请日期 | 1993-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39117]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 敦司,吉田谷 弘明. 光増幅素子. JP3363511B2. 2002-10-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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