光結合デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 三冨 修; 曲 克明; 伊藤 敏夫; 須崎 泰正; 川口 悦弘 |
| 发表日期 | 2003-06-20 |
| 专利号 | JP3441385B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光結合デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 異なるスポットサイズの光デバイス同士を、偏波依存性をより小さくした上で光結合ができるようにすることを目的とする。 【解決手段】 n形のInPからなる基板101の表面に、それをストライプ形状に加工することで下部クラッド層101aが形成され、この上に、化合物半導体であるInGaAsPからなるテーパコア(スポットサイズ変換領域)102と活性領域コア103が形成され、その基板101(下部クラッド層101a)におけるn形不純物の濃度が、例えば、1×1018cm-3と、2×1018cm-3未満とされている。 |
| 公开日期 | 2003-09-02 |
| 申请日期 | 1998-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39137]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三冨 修,曲 克明,伊藤 敏夫,等. 光結合デバイス. JP3441385B2. 2003-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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