Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | HAYAKAWA, TOSHIRO; SUYAMA, TAKAHIRO; TAKAHASHI, KOSEI; KONDO, MASAFUMI |
| 发表日期 | 1989-12-12 |
| 专利号 | US4887274 |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device |
| 英文摘要 | A Semiconductor laser device comprising a quantum well region with a superlattice structure that functions as an active region, wherein the superlattice quantum well region is composed of alternate layers consisting of a plurality of first AlxGa1-xAs thin films and a plurality of second AlyGa1-yAs thin films (0 |
| 公开日期 | 1989-12-12 |
| 申请日期 | 1987-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39191]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAYAKAWA, TOSHIRO,SUYAMA, TAKAHIRO,TAKAHASHI, KOSEI,et al. Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device. US4887274. 1989-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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