多重量子井戸構造光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 1999-04-16 |
| 专利号 | JP2914210B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多重量子井戸構造光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】多重量子井戸構造半導体レーザにおいて、信頼度を確保しつつ、閾値を低減し、微分量子効率を向上させ、温度特性を向上させる。 【構成】多重量子井戸の井戸層を圧縮歪InGaAsPとし、障壁層をInGaAlAsPとし、井戸層と障壁層で、AsとPのモル比を一定とし、In対Gaの比を一定とする。この多重量子井戸を有機金属法で成長するときは、AsとPとInとGaを含む成長ガスを井戸層、障壁層で一定流量で流し続け、井戸層と障壁層の界面は、単にAlを含むガスの供給のON、OFFだけで行うことを特徴とする。 【効果】井戸層がAlフリーのため、信頼度が安定する。バンド構造としては、ライトホールの準位がウェルから無くなり、電子側のバンド不連続が大きくなるため、光学利得が向上する。 |
| 公开日期 | 1999-06-28 |
| 申请日期 | 1995-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 多重量子井戸構造光半導体装置及びその製造方法. JP2914210B2. 1999-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。