半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统
文献类型：专利
| 作者 | 大盐祥三; 谷本宪保 |
| 发表日期 | 2011-06-15 |
| 专利号 | CN101779303B |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统 |
| 英文摘要 | 本发明的半导体发光器件在绝缘散热衬底1的一侧包括：至少一个导体A 2a，导体A为图案化电极；导体B 2b，导体B为图案化电极；以及固态发光元件3。固态发光元件3安装在导体A 2a上而不是安装在导体B 2b上。安装固态发光元件3，使得与主要光提取表面相对的整个下表面粘附于导体A 2a。在从上方观察固态发光元件3的安装表面时，导体A 2a具有元件安装区域和多个外流粘合剂捕捉区域，固态发光元件3的整个下表面安装于元件安装区域上，外流粘合剂捕捉区域被设置成与元件安装区域的周边相邻，且相对于元件安装区域的周边没有方向偏差。导体B 2b设置于除外流粘合剂捕捉区域之外的、与元件安装区域的周边相邻的部分中，同时与导体A 2a电隔离。通过这种方式，可以提供可以用传统实际技术生产、能具有高输出功率、能以高密度安装并能够考虑到照明故障而加以设计的半导体发光器件。 |
| 公开日期 | 2011-06-15 |
| 申请日期 | 2009-04-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39216]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大盐祥三,谷本宪保. 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统. CN101779303B. 2011-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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