窒化ガリウム系半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 萬濃 正也; 大仲 清司; 武石 英見 |
| 发表日期 | 2002-09-27 |
| 专利号 | JP3353527B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高品質なGaN単結晶層の気相成長方法を提供する。 【構成】 有機金属気相成長(MOVPE)法によりサファイア基板1上にGaNバッファ層2をトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアを水素をキャリアガスとして供給して600℃で堆積する。次にTMGの供給を停止し、アンモニアと水素の混合雰囲気で1030℃のに昇温した後、さらにトリエチルガリウム(TEG)を加えてGaN単結晶層3を堆積する。このように原料ガスの切り替えにより、広い温度域に亘り平坦でかつ残留不純物の少ないGaNバッファ層が堆積でき、容易に平坦なGaN単結晶層が堆積できるうえ、GaN単結晶層の成長そのものにおいても炭素等の不純物の混入を抑制できかつC軸配向性に優れた高い結晶性のGaN単結晶が得られる。 |
| 公开日期 | 2002-12-03 |
| 申请日期 | 1995-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39232]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,萬濃 正也,大仲 清司,等. 窒化ガリウム系半導体の製造方法. JP3353527B2. 2002-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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