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发光二极管封装结构及其形成方法

文献类型:专利

作者谢明村; 曾文良; 陈隆欣; 林志勇; 叶进连; 廖启维
发表日期2014-09-24
专利号CN102339819B
著作权人展晶科技(深圳)有限公司
国家中国
文献子类授权发明
其他题名发光二极管封装结构及其形成方法
英文摘要一种发光二极管封装结构,其包括至少两个半导体结构以及一连接层。所述每个半导体结构包括基板、设置在所述基板上的电路结构以及至少一发光元件。所述基板包括一第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述发光元件设置在所述基板第一表面并电性连接所述电路结构。所述两个基板的第二表面分别贴附在所述连接层的两个相对的表面上,并且所述连接层与所述电路结构电性连接。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。
公开日期2014-09-24
申请日期2010-07-28
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39271]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位展晶科技(深圳)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
谢明村,曾文良,陈隆欣,等. 发光二极管封装结构及其形成方法. CN102339819B. 2014-09-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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