Method for fabricating semiconductor light integrated circuit
文献类型：专利
| 作者 | KATO, TOMOAKI |
| 发表日期 | 2001-05-01 |
| 专利号 | US6224667 |
| 著作权人 | NEC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Method for fabricating semiconductor light integrated circuit |
| 英文摘要 | According to a method for fabricating a semiconductor light integrated circuit of the invention, a light waveguide layer and a clad layer are provided on a longitudinal aperture by epitaxial growth technique using a relatively low growth pressure. In contrast with those layers, a quantum well structure layer is selectively provided on the longitudinal aperture by epitaxial growth technique using a relatively high growth pressure. |
| 公开日期 | 2001-05-01 |
| 申请日期 | 1997-09-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39276]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KATO, TOMOAKI. Method for fabricating semiconductor light integrated circuit. US6224667. 2001-05-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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