発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 修二; 長濱 慎一; 岩佐 成人; 清久 裕之 |
| 发表日期 | 2005-03-18 |
| 专利号 | JP3657795B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】発光出力が高く、発光スペクトルの半値幅が狭い窒化物半導体発光素子を用いた表示装置を提供する。 【解決手段】活性層(15)を量子井戸構造とする窒化物半導体発光素子を用いる。活性層(15)上に設けられるp型クラッド層(96)のうち、第1のp型クラッド層(96a)をアルミニウムとガリウムを含むp型窒化物半導体で形成し、第2のp型クラッド層(96b)を同様のp型窒化物半導体であるが、第1のp型クラッド層(96b)よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 |
| 公开日期 | 2005-06-08 |
| 申请日期 | 1999-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39307]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 修二,長濱 慎一,岩佐 成人,等. 発光素子. JP3657795B2. 2005-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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