半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 瀧本 真恵; 苅田 秀孝; 上島 研一; 川中 敏; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 2005-05-27 |
| 专利号 | JP3681460B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 電気容量低減型半導体レーザの高出力·長寿命化。 【解決手段】 n型GaAs基板と、前記n型GaAs基板の主面にn型GaAsバッファ層を介して設けられたn型AlGaInP光導波層と、前記n型AlGaInP光導波層上に設けられた活性層(GaInP/AlXGa1-XInP歪多重量子井戸構造活性層)と、前記活性層上に設けられたp型AlGaInP光導波層と、前記p型AlGaInP光導波層側から設けられかつ前記活性層を貫いて前記n型AlGaInP光導波層の表層部分にまで到達する2条の溝と、前記2条の溝に挟まれかつ光導波路を含む帯状の光導波路形成部とを有する半導体レーザ素子であって、前記溝は前記光導波路形成部の端側で屈曲し前記光導波路形成部の端部分の幅が他の部分に比較して広くなっている。 【効果】 光導波路形成部の端での放熱性が高く高出力化·長寿命化が図れる。 |
| 公开日期 | 2005-08-10 |
| 申请日期 | 1996-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39311]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧本 真恵,苅田 秀孝,上島 研一,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置. JP3681460B2. 2005-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。