半导体发光器件
文献类型：专利
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| 作者 | 藤金正树; 井上彰; 横川俊哉 |
| 发表日期 | 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| 专利号 | CN202405309U ; CN202405309U |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 ; 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 ; 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 ; 实用新型 |
| 其他题名 | 半导体发光器件 ; 半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本实用新型的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。; 本实用新型的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| 申请日期 | 2011-10-19 ; 2011-10-19 |
| 状态 | 授权 ; 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤金正树,井上彰,横川俊哉. 半导体发光器件, 半导体发光器件. CN202405309U, CN202405309U. 2012-08-29, 2012-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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