窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上田 吉裕 |
| 发表日期 | 2008-02-15 |
| 专利号 | JP4079393B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系化合物半導体レーザ素子において、駆動電流の低減、信頼性の向上及び発振横モードの安定化を図る。 【解決手段】 n型第1クラッド層104とp型第2クラッド層107とで挟まれた活性層105を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子100において、活性層105の上に、非晶質又は多結晶の窒化物系化合物半導体層からなる高抵抗層を成長させ、ウェットエッチングでストライプ状開口部120を形成して電流狭窄層108とする。或いはストライプ状部分を除いて第2クラッド層に荷電粒子を照射し、キャリアトラップを高密度に形成して高抵抗な電流狭窄層108とする。 |
| 公开日期 | 2008-04-23 |
| 申请日期 | 1998-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上田 吉裕. 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法. JP4079393B2. 2008-02-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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