窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野村 正明; 波多腰 玄一; 板谷 和彦; 吉田 博昭; 鈴木 真理子 |
| 发表日期 | 2005-03-11 |
| 专利号 | JP3655066B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は、電流ブロック層には電流注入部より屈折率が大きい光閉じ込め層を設け、さらに電流注入部は中心から端に向けて屈折率を大きくさせる構造により、安定な基本横モードで連続発振することができ、非点収差が小さく閾電流密度が低い窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明は窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層103、n-GaN導波層104の上部に、ストライプ中心部より周辺部の方が屈折率が大きい量子井戸構造活性層107、p-GaN導波層108、p-AlGaNクラッド層109が順次形成され、ストライプ両側には屈折率の大きいp-In0.1Ga0.9N電流ブロック層105とn-In0.1Ga0.9N電流ブロック層106が形成され、さらに全面にp-Al0.15Ga0.85Nクラッド層110が形成されていることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2005-06-02 |
| 申请日期 | 1997-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明,波多腰 玄一,板谷 和彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法. JP3655066B2. 2005-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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