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窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置

文献类型:专利

作者中村 修二; 岩佐 成人; 長濱 慎一
发表日期1999-09-10
专利号JP2976951B2
著作权人日亜化学工業株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置
英文摘要【課題】青色発光窒化物半導体LEDおよび緑色発光窒化物半導体LEDを備えた表示装置を提供する。 【解決手段】青色発光窒化物半導体LEDおよび緑色発光窒化物半導体LEDを、それぞれ、n型の窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層(5)と、p型の窒化物半導体よりなる第1のp型クラッド層(7)との間に、少なくともインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層(6)を備え、この活性層(6)を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とし、活性層(6)を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子で構成する。
公开日期1999-11-10
申请日期1995-12-01
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39358]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日亜化学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中村 修二,岩佐 成人,長濱 慎一. 窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置. JP2976951B2. 1999-09-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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