Group III-V type nitride semiconductor device
文献类型：专利
| 作者 | TERAGUCHI, NOBUAKI |
| 发表日期 | 2000-03-28 |
| 专利号 | US6043514 |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Group III-V type nitride semiconductor device |
| 英文摘要 | A group III-V type nitride semiconductor device includes a substrate with a crystal structure of rutile type, CaC2 type, rock salt type, spinel type, NaFeO2(II) type or LiAlO2(I) type, and a nitride semiconductor layer epitaxially grown thereon. The substrate is selected so that its lattice constant allows good lattice match with respect to the nitride semiconductor layer, or the substrate is adjusted in composition to have such a lattice constant. |
| 公开日期 | 2000-03-28 |
| 申请日期 | 1998-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39363]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TERAGUCHI, NOBUAKI. Group III-V type nitride semiconductor device. US6043514. 2000-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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