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用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法

文献类型:专利

作者李耀耀; 李爱珍; 张永刚; 丁惠凤; 李好斯白音; 曹远迎
发表日期2014-10-22
专利号CN102540475B
著作权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法
英文摘要本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法,包括以下步骤:通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路,使入射激光进入全息曝光系统;通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度,利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考,调整空间滤波器和准直透镜,得到一束扩束的平行光;调整置片台,通过置片台的安装,使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束,两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
公开日期2014-10-22
申请日期2012-02-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39365]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李耀耀,李爱珍,张永刚,等. 用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法. CN102540475B. 2014-10-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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