固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷
文献类型：专利
| 作者 | 中西康二; 田崎太一; 长谷川公一 |
| 发表日期 | 2015-11-25 |
| 专利号 | CN102757650B |
| 著作权人 | JSR株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷，该组合物含有具有烯基及密接性基团的聚硅氧烷(A)、每1分子中至少具有两个与硅原子结合的氢原子的聚硅氧烷(B)(但是排除聚硅氧烷(A))、硅氢化反应用催化剂(C)的固化性组合物，以该固化性组合物中所含的全部成分的含量的合计为100质量％时，聚硅氧烷(A)的含有比例为40～90质量％。本发明的固化性组合物是可形成兼顾了对基板、金属布线等的高粘接性和LED等高的初期亮度的固化物的氢硅烷类聚硅氧烷组合物。因此，用由该固化性组合物获得的固化物覆盖半导体发光元件而获得的光半导体装置的初期亮度高，并且即使在接受了热循环的情况下固化物的粘接性也高，例如不会发生固化物从封装体剥落等情况。 |
| 公开日期 | 2015-11-25 |
| 申请日期 | 2012-04-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | JSR株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西康二,田崎太一,长谷川公一. 固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷. CN102757650B. 2015-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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