发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 裴锡训; 崔锡范; 姜弼根; 黄德起; 韩伶妵; 崔熙石; 朴永录; 李泰暾; 吴贤成; 朱志熙 |
| 发表日期 | 2019-01-15 |
| 专利号 | CN103187512B |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 发光器件 |
| 英文摘要 | 本文公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；支撑元件，位于该发光结构下方；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开。第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接，以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。 |
| 公开日期 | 2019-01-15 |
| 申请日期 | 2012-12-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39423]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴锡训,崔锡范,姜弼根,等. 发光器件. CN103187512B. 2019-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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