光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1998-03-13 |
| 专利号 | JP2757909B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層のストライプ方向が素子端面の法線方向から傾いた斜め端面構造の形成を、選択MOVPE法を用いて行うことを可能とする。 【解決手段】 光半導体素子製作で通常用いられる(100)表面基板に代わって表面方位が(100)から方向へ5度以上傾いたオフ角度基板を採用する。基板上に幅0.5〜2.0μm程度のストライプ状空隙部を有したマスクをパターニングし、選択MOVPE法によってこの空隙部にのみストライプ状活性層を形成する。ただしこの際、空隙部のストライプ方向は基板表面と下記外2で示される面との交わり線方向とする。 【外2】 その後、さらにこの活性層を覆ってクラッド層等を形成する。素子のウェハからの切り出しにあたり活性層のストライプと垂直方向に基板の劈開を試みると、基板は(011)面を晒して劈開される。 |
| 公开日期 | 1998-05-25 |
| 申请日期 | 1995-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39434]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 光半導体素子及びその製造方法. JP2757909B2. 1998-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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