Direct-gap germanium-tin multiple-quantum-well electro-optical devices on silicon or germanium substrates
文献类型：专利
| 作者 | SOREF, RICHARD A.; FRIEDMAN, LIONEL |
| 发表日期 | 1996-08-20 |
| 专利号 | US5548128 |
| 著作权人 | UNITED STATES AIR FORCE |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Direct-gap germanium-tin multiple-quantum-well electro-optical devices on silicon or germanium substrates |
| 英文摘要 | Silicon-based laser diodes, optical amplifiers, electrooptical modulators, and photodetectors in which the active region consists of a pseudomorphic GeSn multiple quantum well stack. Each quantum well is tensile-strained Ge1-xSnx layer sandwiched between compressively strained barriers of Ge1-ySny with x DIFFERENCE 0.1, x |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 申请日期 | 1994-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39441]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | UNITED STATES AIR FORCE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SOREF, RICHARD A.,FRIEDMAN, LIONEL. Direct-gap germanium-tin multiple-quantum-well electro-optical devices on silicon or germanium substrates. US5548128. 1996-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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