半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 石橋 晃; 秋本 克洋 |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP3057285B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込みなどの方法による窓形成を行う必要のない、作り付けの窓構造を有する半導体レーザーを実現する。 【構成】 (100)面方位のn型化合物半導体基板1上に、n型クラッド層2、活性層3及びp型クラッド層4から成るレーザー共振器を形成する。このレーザー共振器の中央部及び両端部はそれぞれ[110]方向及び[1-10]方向に平行にする。少なくともn型クラッド層2のn型化合物半導体基板1に対する格子不整合の絶対値は(1〜4)×10-3とし、n型クラッド層2、活性層3及びp型クラッド層4の合計の厚さは1〜3μmにする。 |
| 公开日期 | 2000-06-26 |
| 申请日期 | 1992-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,石橋 晃,秋本 克洋. 半導体レーザー. JP3057285B2. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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