発光素子およびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 白木 靖寛; 深津 晋; 大森 宣典; 奥 秀彦 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP3121202B2 |
| 著作权人 | エア·ウォーター株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 発光素子およびその製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶欠陥の発生を低減しうる高品質な発光素子を提供する。 【構成】 単結晶Si基板1上に、Ge濃度が基板から表面に向かうにつれて高くなる濃度傾斜Si1-X GeX 混晶薄膜層2(X=0→1)、Si薄膜6とInGaAs薄膜7とを交互に積層してなる超格子構造の下側のブラッグ反射器4、中央に第1のAlGaAs薄膜8が配設されその上下両側に同じ厚みの第2のAlGaAs薄膜9が配設された活性領域3、およびSi薄膜6とInGaAs薄膜7とを交互に積層してなる超格子構造の上側のブラッグ反射器5が上記の順で形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-12-25 |
| 申请日期 | 1994-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39466]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | エア·ウォーター株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白木 靖寛,深津 晋,大森 宣典,等. 発光素子およびその製法. JP3121202B2. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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