半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 忠朗; 油利 正昭; 今藤 修; 石田 昌宏 |
| 发表日期 | 2006-04-14 |
| 专利号 | JP3792041B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板の上に形成されている化合物半導体結晶層に発生する貫通転位を大きく低減する。 【解決手段】 サファイア基板10と、該サファイア基板10の上に形成されたアンドープGaNよりなるバッファ層11及びn型GaNよりなる化合物半導体結晶層12とによって発光ダイオードの基板Aが構成されている。化合物半導体結晶層12の上に順次形成された、n型GaNよりなる第1のクラッド層13、アンドープIn0.2Ga0.8Nよりなる活性層14及びp型GaNよりなる第2のクラッド層15によって発光ダイオードの素子構造Bが構成されている。第2のクラッド層15の上にはp型電極16が形成されており、第1のクラッド層13の上にはn型電極17が形成されている。サファイア基板10におけるp型電極16と対向する領域には、台形状の断面を有する凹状部18が形成されており、サファイア基板10における凹状部18の上側部分10aの厚さは第1のクラッド層13の厚さと同程度以下である。 |
| 公开日期 | 2006-06-28 |
| 申请日期 | 1998-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39509]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 忠朗,油利 正昭,今藤 修,等. 半導体素子及びその製造方法. JP3792041B2. 2006-04-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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