窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄 |
| 发表日期 | 2007-06-01 |
| 专利号 | JP3963233B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いて効率のよい内部電流狭窄型及びリッジ導波路型の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 第2クラッド層の上にドライエッチストップ層としてAluGavIn1-u-vN(0≦u、0 |
| 公开日期 | 2007-08-22 |
| 申请日期 | 1997-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39545]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP3963233B2. 2007-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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