半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法
文献类型:专利
作者 | 中村 厚; 青木 雅博 |
发表日期 | 2004-09-10 |
专利号 | JP3595167B2 |
著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法 |
英文摘要 | 【課題】 設計波長に一致または近似する波長を有する半導体レーザ素子および半導体レーザ装置ならびにそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 端面から光を出射する帯状の発光部がモノリシックにかつ複数並列に配置された半導体発光素子であって、前記発光部の構造が相互に異なり、前記発光部の構造が設計値または設計値に最も近似した値になる発光部が半導体発光素子の中央または中央側に位置して使用される構造になっている。前記各発光部は相互に波長が異なり、その波長の違いは前記発光部の幅の違い,前記発光部の厚さの違い,前記発光部に沿って設けられる回折格子周期の違いのうちの1の構成または前記複数の構成を組み合わせた構成の採用によって得ている。前記発光部は半導体レーザを構成している。 |
公开日期 | 2004-12-02 |
申请日期 | 1998-07-29 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39549] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 厚,青木 雅博. 半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法. JP3595167B2. 2004-09-10. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。