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半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法

文献类型:专利

作者中村 厚; 青木 雅博
发表日期2004-09-10
专利号JP3595167B2
著作权人日本オプネクスト株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法
英文摘要【課題】 設計波長に一致または近似する波長を有する半導体レーザ素子および半導体レーザ装置ならびにそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 端面から光を出射する帯状の発光部がモノリシックにかつ複数並列に配置された半導体発光素子であって、前記発光部の構造が相互に異なり、前記発光部の構造が設計値または設計値に最も近似した値になる発光部が半導体発光素子の中央または中央側に位置して使用される構造になっている。前記各発光部は相互に波長が異なり、その波長の違いは前記発光部の幅の違い,前記発光部の厚さの違い,前記発光部に沿って設けられる回折格子周期の違いのうちの1の構成または前記複数の構成を組み合わせた構成の採用によって得ている。前記発光部は半導体レーザを構成している。
公开日期2004-12-02
申请日期1998-07-29
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39549]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中村 厚,青木 雅博. 半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法. JP3595167B2. 2004-09-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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