光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 北村 光弘 |
| 发表日期 | 1996-09-05 |
| 专利号 | JP2555983B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 MQW活性層内のキャリア分布を均一化し、それによって高性能な光半導体素子、すなわちしきい値電流が低く、高温動作特性に優れた半導体レーザ、高い利得を有する半導体光アンプなどを提供すること。 【構成】 埋め込み構造のMQW活性層3に積層方向に対して垂直な方向のみならず、横方向からも有効質量の大きなホールを注入できるように、MQW活性層に隣接してクラッド層4と量子井戸層との中間のバンドギャップエネルギーを有する第2のクラッド層5を形成した。これによってMQW活性層中でのキャリアの不均一注入の問題を大幅に緩和することができ、従ってMQWの本来の高い利得特性が引き出されることによって、しきい値電流、高温動作特性が大幅に改善された高性能な半導体レーザを実現できた。 |
| 公开日期 | 1996-11-20 |
| 申请日期 | 1994-06-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39554]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 光弘. 光半導体素子. JP2555983B2. 1996-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。