Method of manufacturing semiconductor devices separated from a wafer
文献类型：专利
| 作者 | FUJIWARA, MASATOSHI |
| 发表日期 | 2001-11-13 |
| 专利号 | US6316280 |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Method of manufacturing semiconductor devices separated from a wafer |
| 英文摘要 | A semiconductor device with an improved speed response has a linear ridge pattern including an active layer, a cladding layer, a current blocking layer, and a contact layer on a semiconductor substrate. The insulating layer may be formed in a pattern having a high resistance to dry etching along a longitudinal side of the ridge pattern. |
| 公开日期 | 2001-11-13 |
| 申请日期 | 1999-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39577]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FUJIWARA, MASATOSHI. Method of manufacturing semiconductor devices separated from a wafer. US6316280. 2001-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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