埋込異種構造の超発光ダイオード
文献类型：专利
| 作者 | ジィー-キュー コング; カム イン ラウ; ナダヴ バー-ハイム; イスラエル ユリィ |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP3136337B2 |
| 著作权人 | オーテル コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋込異種構造の超発光ダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 高パワー超発光ダイオードとして作動し、またポンピング電流を増加させ高度な単一モード半導体として作動する超発光ダイオードを提供するとともにそのパワー制御の方法を提供する。 【構成】 出力端及び非出力端を有するゲイン媒体と、光を導入するために、ゲイン媒体の各側縁に沿って設けたゲイン媒体より低い屈折率の媒体と、出力端に設けた反射防止コーティングと、出力端に近いゲイン媒体の一部のみをポンピングして、ポンピング部分の誘導放出を行ない、光吸収媒体としてゲイン媒体のバランスを残す手段と、出力端に設けた窓とをもって構成する。 |
| 公开日期 | 2001-02-19 |
| 申请日期 | 1988-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39589]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オーテル コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジィー-キュー コング,カム イン ラウ,ナダヴ バー-ハイム,等. 埋込異種構造の超発光ダイオード. JP3136337B2. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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