半導体エピタキシャル成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 久保 実; 西川 孝司; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 2002-07-05 |
| 专利号 | JP3325721B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体エピタキシャル成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ZnSe系の材料を分子線エピタキシャル成長する工程において、供給する分子線強度比を制御することにより成長機構を制御して一度の連続した分子線エピタキシャル成長により量子細線構造を作製する。 【構成】 ZnSSe層9の上に、II族とVI族の分子線強度比(VI/II比)が1以下となる条件でZnCdSe層14の分子線エピタキシャル成長を行うと、[110]方位に平行で、[311]A面が成長面として周期的構造を有する3次元的成長となり、細線構造が形成される。その上に、II族とVI族の分子線強度比(VI/II比)が1以上となる条件でZnSSe層11の分子線エピタキシャル成長を行うと、縞状を抑制して2次元的成長となり前記周期的構造を埋め込んで成長表面を平坦化することになり、量子細線構造が実現できる。 |
| 公开日期 | 2002-09-17 |
| 申请日期 | 1994-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39611]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久保 実,西川 孝司,佐々井 洋一. 半導体エピタキシャル成長方法. JP3325721B2. 2002-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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