III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 千田 昌伸; 千代 敏明; 浅見 慎也; 伊藤 潤; 野杁 静代; 柴田 直樹; 渡邉 大志 |
| 发表日期 | 2004-10-08 |
| 专利号 | JP3603713B2 |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 横方向成長法(ELO法)を実行する際のいわゆるマスク層を簡易に形成する。 【構成】 基板上にIII族窒化物系化合物半導体の結晶成長を抑止する成長抑止材料を島状に蒸着し、これを横方向成長法を実行する際のマスク層とする。 |
| 公开日期 | 2004-12-22 |
| 申请日期 | 1999-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39619]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 千田 昌伸,千代 敏明,浅見 慎也,等. III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子. JP3603713B2. 2004-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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