半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 木村 達也; 石田 多華生; 鈴木 大輔 |
| 发表日期 | 2005-04-15 |
| 专利号 | JP3665911B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 容易に、かつ高品質のBeドーピングを可能とできるBeドーピング方法を得る。 【解決手段】 III-V族化合物半導体をエピタキシャル成長する際に、III-V族化合物半導体結晶中にBeをドーピングするためのドーパント材料として(MeCP)2 Beを用いるようにした。 【効果】 (MeCP)2 Beが、従来のBeドーパント材料として用いられていたDMBeよりも蒸気圧が低いので、ドーピング制御を容易とでき、また、(MeCP)2 BeはDMBeよりも純度の高いものを容易に入手できるので、ドーピングの際に酸素等の不純物が結晶中に混入するのを抑制することが容易であり、品質の高いp型層を容易に実現できる。 |
| 公开日期 | 2005-06-29 |
| 申请日期 | 1995-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 達也,石田 多華生,鈴木 大輔. 半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子. JP3665911B2. 2005-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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