化合物半導体の電極の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 新田 康一; 石松 純男 |
| 发表日期 | 2001-03-02 |
| 专利号 | JP3165374B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体の電極の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 操作が容易で適用範囲の広い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】 三塩化ホウ素(BCl3 )と塩素(Cl2 )を含むエッチングガスを使用した平行平板型プラズマエッチングによりp-Inx Aly Ga1-x-yNおよびn-Inx Aly Ga1-x-y N層を選択的にエッチングし、青色発光ダイオードを製造する方法である。 |
| 公开日期 | 2001-05-14 |
| 申请日期 | 1996-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39659]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,石松 純男. 化合物半導体の電極の形成方法. JP3165374B2. 2001-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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