半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 八木 克己; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 1999-04-30 |
| 专利号 | JP2920279B2 |
| 著作权人 | 光技術研究開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体デバイスにおける量子細線,量子箱構造として用いられる、面内方向における閉じ込めポテンシャルが大きくて、量子細線,量子箱効果が大きい半導体素子を提供する。 【構成】 n-クラッド層33とp-クラッド層との間に、n-クラッド層33側から引張歪みシングル量子井戸層34,歪み印加層35を順に積層して、引張歪み量子井戸構造に面内歪み変化を加える構成とすることにより、ライトホールが基底状態となって、ホールの面内方向における閉じ込めポテンシャルを大きくする。また、量子井戸構造の障壁層に引張歪み障壁層を用いて、ライトホールの基底状態を実現する。 |
| 公开日期 | 1999-07-19 |
| 申请日期 | 1994-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39713]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光技術研究開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 克己,畑 雅幸. 半導体素子. JP2920279B2. 1999-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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