窒化ガリウム系半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 布上 真也; 山本 雅裕 |
| 发表日期 | 2004-09-03 |
| 专利号 | JP3592553B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】従来のGaN系半導体装置においては、基板と成長層の界面で発生した転位が、成長方向へ伝播しやすく、成長層表面まで達するために、大電流密度の注入により装置の信頼性を低下させるという問題があった。 【解決手段】少なくとも活性層と基板との間に、周期的な凸部を有する界面を再成長により形成する。周期的な凸部を形成することにより、凸部側壁の成長が生じ、横方向への成長を積極的に利用することができる。この横方向への成長速度は、基板に対して垂直方向の成長速度より格段に速く、この界面において転位は横方向へ曲がる。このため、上部の層まで伝播する転位密度を低減することができる。 |
| 公开日期 | 2004-11-24 |
| 申请日期 | 1998-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39779]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 布上 真也,山本 雅裕. 窒化ガリウム系半導体装置. JP3592553B2. 2004-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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