半导体激光器装置及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 森本泰司; 宫崎启介; 辰巳正毅; 和田一彦; 上田祯亮 |
| 发表日期 | 2006-02-08 |
| 专利号 | CN1241306C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置及其制作方法 |
| 英文摘要 | 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。 |
| 公开日期 | 2006-02-08 |
| 申请日期 | 2003-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39809]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本泰司,宫崎启介,辰巳正毅,等. 半导体激光器装置及其制作方法. CN1241306C. 2006-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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