p型GaN系半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡部 信一; 橋本 孝行; 只友 一行 |
| 发表日期 | 2002-08-23 |
| 专利号 | JP3341948B2 |
| 著作权人 | 三菱電線工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | p型GaN系半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 クラック等の発生を抑制して不良率を低減し得、かつ製造工程を簡略化してコストを低減し得るp型GaN系半導体の製造方法を提供すること。 【構成】 本発明のp型GaN系半導体の製造方法は、p型不純物をドープしたGaN系半導体を成長させた後、望ましくは不活性ガス雰囲気下で、自然冷却よりも遅い速度で冷却することを特徴とするものである。 【効果】 半導体成長後に後処理的な熱処理が不要であり、また半導体を徐々に冷却するため該半導体層におけるクラック等の発生が抑制される。 |
| 公开日期 | 2002-11-05 |
| 申请日期 | 1994-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39831]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電線工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部 信一,橋本 孝行,只友 一行. p型GaN系半導体の製造方法. JP3341948B2. 2002-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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