III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 |
| 发表日期 | 2014-10-22 |
| 专利号 | CN102934301B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 |
| 英文摘要 | 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。 |
| 公开日期 | 2014-10-22 |
| 申请日期 | 2010-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光器元件的制作方法. CN102934301B. 2014-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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