半導體雷射裝置
文献类型：专利
| 作者 | 河內泰之; 上野明; 中西秀行; 吉村明夫 |
| 发表日期 | 2001-07-11 |
| 专利号 | TW445689B |
| 著作权人 | 松下電子工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置 |
| 英文摘要 | 熱間壓接有GaAs等化合物半導體所成之半導體雷射元件，及設於該半導體雷射元件之下面，由矽所構成,在上面形成之半導體雷射元件之電極的電極層，實行半導體雷射元件之定位的雷射固定件，及設於該雷射固定件下面。且將半導體雷射元件所發生之熱經由雷射固定件予以散熱的散熱度並互相固裝。在雷射固定件之固裝有半導體雷射元件之主面相反側之面設有凹部，在該凹部一體地形成有傳熱係數比矽大之銅所成的散熱體。 |
| 公开日期 | 2001-07-11 |
| 申请日期 | 1997-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39860]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河內泰之,上野明,中西秀行,等. 半導體雷射裝置. TW445689B. 2001-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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