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半導体用冷却部品の製造方法及び半導体レーザ用冷却部品の製造方法

文献类型:专利

作者一條 太陽; 古澤 孝; 瀧川 宏; 西川 祐司
发表日期2002-09-27
专利号JP3353053B2
著作权人ファナック株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体用冷却部品の製造方法及び半導体レーザ用冷却部品の製造方法
英文摘要【課題】高出力半導体レーザダイオードの如く、多量のジュール熱の発生する半導体等を効率よく冷却する冷却部品を容易に提供すること。 【解決手段】銅系金属薄板に銅と共晶合金を作る金属のメッキを施して接合する半導体冷却部品の製造方法を特徴とする。
公开日期2002-12-03
申请日期1997-09-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39862]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ファナック株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
一條 太陽,古澤 孝,瀧川 宏,等. 半導体用冷却部品の製造方法及び半導体レーザ用冷却部品の製造方法. JP3353053B2. 2002-09-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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